王志军表示：自2012年以来，我国集成电路产业以年均20%以上的速度快速增长，2018年全行业销售额6532亿元，技术水平也不断提高。
当前，我国芯片设计水平提升3代以上，海思麒麟980芯片采用了全球最先进的7纳米工艺；制造工艺提升了1.5代，32/28纳米工艺实现规模量产，16/14纳米工艺进入客户导入阶段；存储芯片进行了初步布局，64层3D NAND闪存芯片预计今年下半年量产；先进封装测试规模在封测业中占比达到约30%；刻蚀机等高端装备和靶材等关键材料取得突破。当然，与国际先进水平相比，我国集成电路的总体设计、制造、检测及相关设备、原材料生产还有相当的差距。
集成电路产业是高度国际化的产业，没有哪个国家能够独立发展集成电路产业。近期美国一系列举措，粗暴干涉国际集成电路产业正常秩序，打乱了正常的国际分工体系，降低了资源配置效率和产业发展速度，破坏了世界集成电路产业平稳发展。这些举措是对其标榜为市场经济体制的极大讽刺。我们再次敦促美方，停止以安全风险为由对中国企业进行的无理打压，还中国企业在世界包括美国在内开展正常的投资、经营等活动公平、公正的环境。
下一步，我国将更大范围更深层次地融入全球集成电路产业生态体系。坚持开放创新合作发展，推进产业链各环节开放式创新发展。坚持优化环境、机遇共享，对内外资一视同仁，加强知识产权保护，与全球集成电路产业界共同分享中国市场带来的发展机遇。
此外，根据工信部官网披露，在24日上午10时举行的国务院政策例行吹风会，工业和信息化部副部长王志军就进一步提高企业创新能力有关情况进行了说明。
王志军表示，与发达国家相比，我国企业创新能力不强的问题依然突出，还存在研发投入不够、关键共性技术供给不足，激励企业创新的机制还不健全等问题。
下一步，工信部将主要开展以下四个方面的工作。一是强化企业创新主体地位，支持企业增加研发投入。加大对各类所有制企业的创新政策落实力度。完善以研发费用加计扣除为主的税收优惠政策，支持发展创投、风投等基金，鼓励金融机构提高制造业中长期贷款比例支持企业创新。二是加快关键核心技术攻关，推动制造业加快向智能、绿色、服务型制造转型升级。把工业互联网等新型基础设施建设与制造业技术进步有机结合。三是完善创新体系。推动重大科研设施、基础研究平台等创新资源开放共享。支持企业深入开展“双创”，加强对中小企业创新的服务。四是加快科技成果转化和推广应用。鼓励企业开展国际技术创新合作，参与国际技术标准的制修订。强化知识产权保护，加大侵权惩罚力度。